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多款8位、32位產品數據手冊批量更新

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變更項目:多款8位、32位產品數據手冊批量更新 

ES7P001/003:

1、第3章增加芯片唯一識別碼相關內容;
2、附錄3.1中增加芯片ESD特性參數表;
3、增加T21多功能復用輸出端口說明等。
 
HR7P169B:
1、 電氣特性部分新增芯片ESD特性;
2、 增強對SFR寄存器中的僅供測試用控制位的描述,禁止用戶設置;
3、 加強對運放應用參考電路的描述,添加放大倍數對offset影響的描述。
 
ES7P179x/ HR7P179/ HR7P179A:
1、 電氣特性部分新增芯片ESD特性;
2、 增強對SFR寄存器中的僅供測試用控制位的描述,禁止用戶設置。
 
ES7P202x/ES7P295x/HR7P169/HR7P201:
1、 電氣特性部分新增芯片ESD特性;
2、添加Flash存儲器支持至少10萬次擦寫次數,10年以上的數據保持時間。
 
HR7P153:

1、電氣特性部分新增芯片ESD特性。


ES8P508x:
1、 更新T16Nx的剎車信號標志位處理方式;
2、更新了IWDT的重載LOAD寄存器默認值;
3、 電氣特性部分新增芯片ESD特性;
4、增加ADC使用內部正參考電壓相關內容。
 
HR8P506:
1、 電氣特性部分新增芯片ESD特性;
2、修改“系統時鐘電路結構框圖”,WDT模塊添加PCLK時鐘源,添加SPI,I2C外設模塊;
3、 刪除了管腳圖備注中對PA6管腳作為輸出使用的推薦描述;
4、 修改BOR最低檔位的電壓范圍上限為2.3V;
5、更新ADC小信號offset參數;
6、 刪除SWD調試時,不能使用外部參考VREFP的描述;

7、 在“深度睡眠模式”章節,添加進睡眠模式前清所有中斷掛起標志位的備注,在深睡眠功耗特性圖中添加功耗單位。

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